BAV70 / BAW56 / BAV99
Diodes
2/3
』Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
P / N Type
Peak
reverse
voltage
VRM
(V)
DC
reverse
voltage
VR
(V)
Peak
forward
current
IFM
(mA)
Mean
rectifying
current
IF
(mA)
Surge
current
(1μs)
Isurge
(A)
Power
dissipation
temperature
temperature
(TOTAL)
Pd (mW)
Junction
Tj (°C)
Storage
Tstg (°C)
Type
BAV70
BAW56
BAV99
75
85
85
70
70
75
450
450
450
215
215
215
4
4
4
300
225
300
150
150
150
?55 to +150
?55 to +150
?55 to +150
N
P
N
』Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Type
BAV70
BAW56
BAV99
1.25
1.25
1.25
150
150
150
2.5
1.0
1.0
70
75
75
1.5
2.0
1.5
0
0
0
1
1
1
4
4
4
10
10
10
10
10
10
VF
(V)
Max.
Cond.
IF
(mA)
IR
(
μA)
Max.
Cond.
VR
(V)
CT
(pF)
Max.
Cond.
VR
(V) f (MHz)
trr
(ns)
Max.
Cond.
VR
(V) I
F
(mA)
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
』Electrical characteristic curves
(Ta=25
°C)
0
25
50
75
100
125
0 25 50 75 100 125 150
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C)
POWER DISSIPATION : Pd / Pd
Max.
(%)
Fig.1 Power attenuation curve
0.10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
FORWARD CURRENT : I
F
(mA)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Fig.2 Forward characteristics
(P Type)
Ta=85°C
50°C
25°C
0°C
?30°C
REVERSE VOLTAGE : VR
(V)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
0.010
100
1000
10
0.1
1
10 20 30 40 50
Fig.3 Reverse characteristics
(P Type)
Ta=100°C
75°C
50°C
25°C
0°C
?25°C
0.10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
FORWARD CURRENT : I
F
(mA)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Fig.4 Forward characteristics
(N Type)
Ta=85°C
50°C
25°C
0°C
?30°C
REVERSE VOLTAGE : VR
(V)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
0.010
100
1000
10
0.1
1
10 20 30 40 80706050
Fig.5 Reverse characteristics
(N Type)
Ta=100°C
75°C
50°C
25°C
?25°C
0°C
0024681012 1614 18 20
4
2
REVERSE VOLTAGE : VR
(V)
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : C
T
(pF)
f=1MHz
Fig.6 Capacitance between
terminals characteristics
P Type
N Type
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